TSM260P02CX RFG
Número de Producto del Fabricante:

TSM260P02CX RFG

Product Overview

Fabricante:

Taiwan Semiconductor Corporation

Número de pieza:

TSM260P02CX RFG-DG

Descripción:

-20V, -6.5A, SINGLE P-CHANNEL PO
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 6.5A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23

Inventario:

8890 Pcs Nuevos Originales En Stock
12965586
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TSM260P02CX RFG Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
26mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1670 pF @ 15 V
Función FET
Standard
Disipación de potencia (máx.)
1.56W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
1801-TSM260P02CXRFGCT
1801-TSM260P02CXRFGDKR
TSM260P02CX
1801-TSM260P02CXRFGTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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